2025-11-02
【3044永利集团,新闻】台积电版的骁龙8+确实令三星陷入了个不小的窘境,不过,作为志在“2030年前,成为全球最先进的半导体制造公司之一”的三星,日前终于亮出首个3nm工艺制造的12英寸晶圆,并计划在今年Q2季度量产。
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据三星透露,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
对三星来说,3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键,三星的3nm节点启用GAA技术,这是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。
另一方面,据此前业界曝光的信息:台积电将于今年下半年小规模试产,明年才会进行大规模量产3nm工艺。所以,凭借绝对的时间进度,虽然厂商们或许会顾虑三星良品率不行等负面传闻,但3nm工艺GAA技术的绝对性能提升还是为三星带来了极大的优势。
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